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产品详情
简单介绍：
P+F测距传感器0BT300-R100-2EP-IO-L
UB1000-18GM75-E01-V15
UB1000-18GM75-E23-V15
UB1000-18GM75-E4-V15
UB1000-18GM75-E5-V15
UB1000-18GM75-E6-V15
UB1000-18GM75-E7-V15
UB1000-18GM75-F-V15
详情介绍：
P+F测距传感器0BT300-R100-2EP-IO-L
OBT500-18GM70-E4-V1
OBT500-18GM70-E5
OBT500-18GM70-E5-V1
OBT50-4M35-E0
OBT50-R2-E0-Y814646
OBT50-4M45-E2-V3
OBT50-5GM35-E0
OBT50-5GM35-E2
OBT50-5GM45-E0-V3
OBT50-5GM45-E2-V3
OBT50-R2-E0
OBT50-R2-E0-1T
OBT50-R2-E2
OBT50-R2-E2-0 2M-V3
OBT50-R2-E2-0 2M-V31
OBT50-R2-E2-1T
OBT50-R2-E3-0 2M-V31
OBT50-R3-E0
OBT50-R3-E0-1T
OBT50-R3-E2
OBT50-4M35-E2
OBT50-4M45-E0-V3
产品描述
扩展的温度范围
-40°C .. 60°C
*防护等级IP69K
用于服务和过程数据的IO-接口
■扎实***的光电传感器技术经验
■***的带背景抑制功能的漫反射传感器
■同一尺寸产品经济型和端型可选
■迷你型、小体积、矩形、圆柱形外形齐全
n常规传感器、光通讯、测距传感器种类齐全
■IP防护等级可达IP69K
■人性化的附加设计，如相互安装无干扰、"4-和- 1”推挽输出方式、优良的抗外界光干扰能力、*亮度LEDs指示
参考目标物ReflectorH100-2R
光源类型红外光, 905 nm
环境光极限50000 Lux
压阻式传感器
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件，扩
散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，电桥就会产生相应的不平衡输出。
用作压阻式传感器的基片(或称膜片) 材料主要为硅片和锗片，硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视，尤
其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用为普遍。
P+F测距传感器0BT300-R100-2EP-IO-L